https://wiki.anas.az/mediawiki/index.php?action=history&feed=atom&title=M%C9%99mm%C9%99dova_G%C3%BClnar%C9%99_%C6%8Fhm%C9%99d_q%C4%B1z%C4%B1 2026-05-09T23:33:58Z Vikidə bu səhifənin dəyişikliklər tarixçəsi MediaWiki 1.45.3 https://wiki.anas.az/mediawiki/index.php?title=M%C9%99mm%C9%99dova_G%C3%BClnar%C9%99_%C6%8Fhm%C9%99d_q%C4%B1z%C4%B1&diff=459&oldid=prev 2026-04-26T16:21:42Z

<p>Səhifə &quot;[[Fayl:|thumb|180x180px|Məmmədova Gülnarə Əhməd qızı]] Fizika-riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru, Dosent == Ümumi məlumat == {{Alim_esas | adi=Məmmədova Gülnarə Əhməd qızı | dogum_tarixi=21.03.1944 | dogum_yeri=Bakı şəhəri | tehsil=Bakı Dövlət Universiteti | elmi_derece=Fizika-riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru | elmi_rutbe=Dosent | is_yeri= | vezife=Aparıcı elmi işçi | is_unvani= }} {{Alim_detal | elmi_feali...&quot; məzmunu ilə yaradıldı</p> <p><b>Yeni səhifə</b></p><div>[[Fayl:|thumb|180x180px|Məmmədova Gülnarə Əhməd qızı]]<br /> <br /> Fizika-riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru, Dosent<br /> <br /> == Ümumi məlumat ==<br /> {{Alim_esas<br /> | adi=Məmmədova Gülnarə Əhməd qızı<br /> | dogum_tarixi=21.03.1944<br /> | dogum_yeri=Bakı şəhəri<br /> | tehsil=Bakı Dövlət Universiteti<br /> | elmi_derece=Fizika-riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru<br /> | elmi_rutbe=Dosent<br /> | is_yeri=<br /> | vezife=Aparıcı elmi işçi<br /> | is_unvani=<br /> }}<br /> <br /> {{Alim_detal<br /> | elmi_fealiyyet=<br /> <br /> | phd_kod=01.04.10<br /> | phd_ixtisas=Fizika<br /> | phd_movzu=Bərk cisimli Ge-Si monokristalların əsasında diffuziya üsulu ilə yaradılmış p-n keçidlərin tədqiqatı<br /> <br /> | doktor_kod=<br /> | doktor_ixtisas=<br /> | doktor_movzu=<br /> <br /> | muxbir_il=<br /> | muxbir_sahe=<br /> <br /> | heqiqi_il=<br /> | heqiqi_sahe=<br /> <br /> | umumi_eser=54<br /> | xarici_eser=10<br /> | indeksli_meqale=1<br /> <br /> | patent=4<br /> <br /> | phd_sayi=<br /> | doktor_sayi=<br /> <br /> | uzvluk=<br /> <br /> | pedaqoji=<br /> | diger=<br /> <br /> | mukafat=<br /> <br /> | nailiyyet=* 1. Bərk cisimli Ge-Si monokristallar əsasında astmosferin birinci “pəncərəsi”nə düşən 1.06 mkn dalğa uzunluğu üçün qəbuledicilər hazirlanıb və  tədqiqat  aparılıb.<br /> * 2. Laylı yarımkeçiricilərdə epitaksial heterokeçidlərin əsasında cütpolyarlı sərt dispersiyalı spectral xassələri olan fotoqəbuledicilər yaradılıb və tədqiqat aparılıb.<br /> * 3. Ga-As-da Şotki diodları əsasında “yaddaşı” olan radiasiya şüalarının gücləndiriciləri yaradılıb və  tədqiqat aparılıb.<br /> * 4. Katalizator olan yarımkeçiricilərdə p-n keçid əsasında ekoloji təmiz bərpa olunan alternativ yeni tipli qazların və su selinin atom və molekullarının təsiri nəticəsində yaranan kimya enerjisini elektrik everjisinə çevirən qəbuledicilər hazırlanıb.Kompleks tədqiqatların nəticələri əsasında həmin çevricilərin işləməsinin fiziki-kimyəvi əsasları araşdırılıb və təqdim olunub.Diod rejimində həmin çevricilərdə elektrik siqnalının 10<br /> * 2<br /> * dəfə artırma effekti təyin olunub.Effektə Paşayev-Talibi-Məmmədova (müəlliflərin) adı verilib.<br /> <br /> | eserler=* 1. Фотокаталитичсое разложение воды поверхности селена,Всесоюзная научно-техническая конференция «Интегральные преобразователи неэлектрических величин»,октябрь,1989 г.,Баку,стр.75<br /> * 2. Спектральные характеристики эпитаксиальных гетеропереходов на основе слоистых кристаллов (Частотный дискриминатор лазерного излучения 0.63 мкм);Научные Труды Национальной  Авиацонной Академи,посвященные 70-летию академика Пашаева А.М.,№1 , 2004 год,стр. 84-89 ,г.Баку<br /> * 3. Conversion of  the chemical energy in to the electric energy on the surface of semiconductor-catalyst; 17<br /> * th<br /> * International Conference on Ternary and Multinary Compounds.ICTMC-17, 27-30 sept., 2010, Baku, Institute of  Physics, p.205<br /> <br /> | xidmeti_tel=(+994 12) 5395808<br /> | mobil_tel=(+994 50) 3483187<br /> | faks=<br /> | email=magulnar@mail.ru<br /> | ev_tel=(+994 12) 5944393<br /> }}<br /> <br /> [[Kateqoriya:AMEA əməkdaşları]]</div>

Hasan