Məmmədova Gülnarə Əhməd qızı

ANAS Wiki saytından
Hasan (müzakirə | töhfələr) (Səhifə "[[Fayl:|thumb|180x180px|Məmmədova Gülnarə Əhməd qızı]] Fizika-riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru, Dosent == Ümumi məlumat == {{Alim_esas | adi=Məmmədova Gülnarə Əhməd qızı | dogum_tarixi=21.03.1944 | dogum_yeri=Bakı şəhəri | tehsil=Bakı Dövlət Universiteti | elmi_derece=Fizika-riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru | elmi_rutbe=Dosent | is_yeri= | vezife=Aparıcı elmi işçi | is_unvani= }} {{Alim_detal | elmi_feali..." məzmunu ilə yaradıldı) tərəfindən edilmiş 16:21, 26 aprel 2026 tarixli redaktə
(fərq) ← Əvvəlki versiya | Son versiya (fərq) | Sonrakı versiya → (fərq)
Naviqasiyaya keç Axtarışa keç

[[Fayl:|thumb|180x180px|Məmmədova Gülnarə Əhməd qızı]]

Fizika-riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru, Dosent

Ümumi məlumat

Parametr Məlumat
Adı Məmmədova Gülnarə Əhməd qızı
Doğum tarixi 21.03.1944
Doğum yeri Bakı şəhəri
Təhsil Bakı Dövlət Universiteti
Elmi dərəcə Fizika-riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru
Elmi rütbə Dosent


Vəzifə Aparıcı elmi işçi




Namizədlik (PhD) dissertasiyası

  • İxtisas şifri: 01.04.10
  • İxtisas: Fizika
  • Müdafiə tarixi:
  • Mövzu: Bərk cisimli Ge-Si monokristalların əsasında diffuziya üsulu ilə yaradılmış p-n keçidlərin tədqiqatı




Elmi əsərlərinin sayı

  • Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı: 54
  • Xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı: 10
  • Beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı: 1

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentləri

4

Kadr hazırlığı

Pedaqoji və digər fəaliyyəti

Elmi nailiyyətləri

  • 1. Bərk cisimli Ge-Si monokristallar əsasında astmosferin birinci “pəncərəsi”nə düşən 1.06 mkn dalğa uzunluğu üçün qəbuledicilər hazirlanıb və  tədqiqat  aparılıb.
  • 2. Laylı yarımkeçiricilərdə epitaksial heterokeçidlərin əsasında cütpolyarlı sərt dispersiyalı spectral xassələri olan fotoqəbuledicilər yaradılıb və tədqiqat aparılıb.
  • 3. Ga-As-da Şotki diodları əsasında “yaddaşı” olan radiasiya şüalarının gücləndiriciləri yaradılıb və  tədqiqat aparılıb.
  • 4. Katalizator olan yarımkeçiricilərdə p-n keçid əsasında ekoloji təmiz bərpa olunan alternativ yeni tipli qazların və su selinin atom və molekullarının təsiri nəticəsində yaranan kimya enerjisini elektrik everjisinə çevirən qəbuledicilər hazırlanıb.Kompleks tədqiqatların nəticələri əsasında həmin çevricilərin işləməsinin fiziki-kimyəvi əsasları araşdırılıb və təqdim olunub.Diod rejimində həmin çevricilərdə elektrik siqnalının 10
  • 2
  • dəfə artırma effekti təyin olunub.Effektə Paşayev-Talibi-Məmmədova (müəlliflərin) adı verilib.

Elmi əsərləri

  • 1. Фотокаталитичсое разложение воды поверхности селена,Всесоюзная научно-техническая конференция «Интегральные преобразователи неэлектрических величин»,октябрь,1989 г.,Баку,стр.75
  • 2. Спектральные характеристики эпитаксиальных гетеропереходов на основе слоистых кристаллов (Частотный дискриминатор лазерного излучения 0.63 мкм);Научные Труды Национальной  Авиацонной Академи,посвященные 70-летию академика Пашаева А.М.,№1 , 2004 год,стр. 84-89 ,г.Баку
  • 3. Conversion of  the chemical energy in to the electric energy on the surface of semiconductor-catalyst; 17
  • th
  • International Conference on Ternary and Multinary Compounds.ICTMC-17, 27-30 sept., 2010, Baku, Institute of  Physics, p.205

Əlaqə

  • Xidməti tel: (+994 12) 5395808
  • Mobil tel: (+994 50) 3483187
  • Elektron poçtu: magulnar@mail.ru
  • Ev telefonu: (+994 12) 5944393