Fərəcov Nazim Vahid oğlu

Fizika üzrə fəlsəfə doktoru, Dosent

Ümumi məlumat

Parametr	Məlumat
Adı	Fərəcov Nazim Vahid oğlu
Doğum tarixi	23.03.1971
Doğum yeri	Azərbaycan Respublikası, Bakı şəhəri
Təhsil	Azərbaycan Texniki Universiteti
Elmi dərəcə	Fizika üzrə fəlsəfə doktoru
Elmi rütbə	Dosent
Vəzifə	Böyük elmi işçi

İxtisas şifri: 01.04.04
İxtisas: Fiziki elektronika
Müdafiə tarixi:
Mövzu: Pb 1-x Sn x Sе, ПbSe 1-x S x епитаксиал тябягяляри вя онларын ясасында фотощяссас изопериодик щетероструктурлар

Pedaqoji fəaliyyəti
* 2003-2008- Azərbaycan Beynəlxalq Universiteti

Molekulyar dəstədən kondensasiya metodu ilə müxtəlif altlıqları üzərində yüksək kristallik mükəmməlliyə malik Pb1-xSnxSe, PbSe1-xSx epitaksial təbəqələrinin böyümə xüsusiyyətlərini tədqiq etmiş, onların əsasında izoperiodik heterokeçidlərin yaradılmasına, yüksək fotoelektrik parametrlərə malik fotohəssas elementlərin və heterostrukturların hazırlanmasına nail olunmuşdur. Pb1-xSnxSe, PbSe1-xSx epitaksial təbəqələrinin böyüməsinin əsas qanunauyğunluqları öyrənmiş, yüksək kristallik mükəmməlliyə və elektrofiziki parametrlərə malik p-Pb1-xSnxSe, n-PbSe1-xSx təbəqələrinin alınmasının optimal şəraiti müəyyən etmişdir

1. Нуриев И.Р., Фарзалиев.С., Фараджев Н.В., Садыгов Р.М. Фотоэлектрические и оптические свойства эпитаксиальных пленок Pb1-xMnxTe(Ga) // Прикладная Физика. 2006, №4, с.106-108.
2. Нуриев И.Р., Фараджев Н.В., Назаров А.М., Гаджиев М.Б. Изопериодические фоточувствительные гетероструктуры Pb1-xSnxSе/PbSе1-хSх // Прикладная Физика, 2012, №1, с.98-100.
3. Нуриев И.Р., Фараджев Н.В., Назаров А.М. Структура и фоточувствительные гомопереходы эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxSe //Кристаллография, 2012, т.57, №2, c. 345-347.